NO.1 Galaxy S6/S6 Edge

　　14nm CPU、UFS 2.0閃存

　　Galaxy S6/S6 Edge無(wú)論在性能還是設(shè)計(jì)上都給人以耳目一新的感覺(jué)，雙曲面?zhèn)绕猎O(shè)計(jì)也充滿了科技感，然而真正讓Galaxy S6/S6 Edge充滿競(jìng)爭(zhēng)力的還要數(shù)鮮為人知的14nm工藝CPU以及USF 2.0閃存技術(shù)。Galaxy S6/S6 Edge所搭載的Exynos 7420 CPU采用了最新的三星14nm FinFET工藝，決定了Exynos能夠表現(xiàn)出比Snapdragon 810更加出色的性能。

　　此外，USF 2.0閃存在設(shè)計(jì)規(guī)格上遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)eMMC 5.0，性能測(cè)試幾乎接近低端SSD，能夠?yàn)镚alaxy S6/S6 Edge提供穩(wěn)定高效的存儲(chǔ)服務(wù)，因此保證了Galaxy S6/S6 Edge能夠有效克服Android運(yùn)行時(shí)間久之后的卡頓問(wèn)題。